高長徑比硅灰石的特點決定了使用流化床實驗室氣流粉碎機
惰性氣體保護氣流粉碎分級機(氮氣保護粉體設(shè)備),針對各種物料要求不同,定制制造生產(chǎn)的專用粉碎分級設(shè)備。 惰性氣體保護專用氣流粉碎分級機具有:全閉路設(shè)計,氮氣保護隔絕氧氣,粉碎分級精度高,粒徑分布均勻,產(chǎn)量大等特點。
硅灰石產(chǎn)品可分為高長徑比硅灰石和磨細(xì)硅灰石兩大類,高長徑比的超細(xì)硅灰石針狀粉在工業(yè)上有著極高的應(yīng)用價值,如作為塑料填料,可以提高其制品的強度和尺寸穩(wěn)定性;造紙?zhí)盍嫌玫墓杌沂槧罘垡惨筮_到lum的細(xì)度;在涂料、油漆中填加的硅灰石針狀粉越細(xì),其性能改善越明顯。因此,高長徑比的超細(xì)硅灰石針狀粉的加工制備成為世界各硅灰石加工企業(yè)倍受重視的研究熱點。
硅灰石的結(jié)晶構(gòu)造決定了即使是細(xì)小顆粒也呈纖維狀或針狀的性質(zhì)。硅灰石的а晶型長徑比為5:1,β晶型為20:1,最高可達30:1,其長徑比隨粉碎方式的不同有很大的差異。提高硅灰石產(chǎn)品的長徑比,關(guān)鍵在于粉碎過程中采用適宜的粉碎方式保持礦物原有的結(jié)晶結(jié)構(gòu)。目前,用于硅灰石針狀粉超細(xì)粉碎加工的設(shè)備主要有機械沖擊式粉碎機、實驗室氣流粉碎機(扁平式、循環(huán)式、沖擊式、流化床、對噴式)、攪拌磨、雷蒙磨、振動磨等。實踐表明,剪切和摩擦作用始終具有使顆粒沿著與力作用方向平行的結(jié)晶解理面剝離的趨勢,這決定了流化床式實驗室氣流粉碎機是制備高長徑比硅灰石的最佳設(shè)備。
一、流化床實驗室氣流粉碎機的工藝特點
流化床實驗室氣流粉碎機的工藝特點為:粉碎過程中高速顆粒不會碰撞粉碎室內(nèi)壁,目物料不通過噴嘴。因而磨損極輕,產(chǎn)品不受污染。主機上部裝有臥式分級輪,可以防止粗粒進入成品。由于采用了流態(tài)化床原理(氣流膨脹呈流態(tài)化床懸浮沸騰而碰撞、摩擦進行粉碎)以及內(nèi)設(shè)臥式渦輪分級裝置,與其他類型實驗室氣流粉碎機相比,氣流狀況更佳,可節(jié)能30-40%。產(chǎn)品粒度分布窄且無大顆粒、自動化程度高、噪音小、結(jié)構(gòu)緊湊。
二、流化床實驗室氣流粉碎機的工藝參數(shù)對硅灰石長徑比的影響
(1)分級輪轉(zhuǎn)速對硅灰石長徑比的影響
流化床實驗室氣流粉碎機分級輪的轉(zhuǎn)速對硅灰石產(chǎn)品的長徑比具有明顯的影響,劉海新等研究了不同分級輪轉(zhuǎn)速對硅灰石產(chǎn)品長徑比的影響,其研究結(jié)果表明:隨著分級輪轉(zhuǎn)速的不斷增加,硅灰石的長徑比先是逐漸增大,達到一個頂峰之后,其長徑比又會迅速減小。
(2)氣流粉碎壓力對硅灰石長徑比的影響
在分級輪轉(zhuǎn)速一定的情況下,隨著氣流粉碎壓力的增加,產(chǎn)品的平均長度是明顯變短的,而平均直徑卻無明顯波動,故整體來看,隨著氣流粉碎壓力的增加,硅灰石長徑比是減小的。
(3)原料加熱時間、溫度對硅灰石長徑比的影響
為了提高粉碎效率用熱力輔助粉碎一對礦石進行熱處理,誘導(dǎo)晶界斷裂,降低物料強度,改善易磨性。硅灰石的晶體結(jié)構(gòu)特點使其在鍛燒時沿Ca-O鍵裂開,出現(xiàn)游離的Ca2+離子和O2+離子,填充到晶格間隙,這樣在氣流沖撞粉碎過程中,破碎硅灰石所需能量小,所以顆粒容易破碎,破碎所需時間短,這樣合格粒級的硅灰石產(chǎn)品及時地離開粉碎腔,及時地保護了硅灰石產(chǎn)品的長徑比。故對硅灰石進行加熱處理,之后再采用實驗室氣流粉碎機進行粉碎,會發(fā)現(xiàn)適宜的加熱溫度為600-800℃,且隨著加熱時間才延長,硅灰石產(chǎn)品的長徑比的變化規(guī)律是先增大后減小,即要得到高長徑比的硅灰石產(chǎn)品,有一個最佳的加熱溫度和加熱時間。
(4)原料的分級處理對硅灰石長徑比的影響試驗
將硅灰石原料先進行分級,之后采用實驗室氣流粉碎機進行處理,可以很好的保護硅灰石產(chǎn)品的長徑比,且不同粒級下得到的硅灰石產(chǎn)品比較均勻。將物料在分級后給入實驗室氣流粉碎機,是生產(chǎn)高長徑比硅灰石的一個有效步驟。
實驗室氣流粉碎機充分利用硅灰石固有的優(yōu)異特性,獲得高長徑比的硅灰石超細(xì)粉,提高其附加值,是進行硅灰石深加工與利用的前提。硅灰石粉碎過程中的受力方式不同,其粉碎產(chǎn)物的形貌各異。粉碎過程中施加于硅灰石顆粒上的作用力為剪切力時,才能得到理想的高長徑比硅灰石。實驗室氣流粉碎機粉碎利用壓縮空氣的壓力能在粉碎室形成高速氣流軌跡,以剪切作用為主,其特點就是使硅灰石物料之間相互高速碰撞、摩擦而達到粉碎并保護硅灰石晶體形貌。
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